Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Resist — Fotolacke (engl. Photoresist) werden insbesondere in der Mikroelektronik und der Mikrosystemtechnik für die Produktion von Strukturen im Mikro und Submikrometerbereich und bei der Leiterplattenherstellung verwendet. Die wichtigsten Ausgangsstoffe … Deutsch Wikipedia
polymeric resist — polimerinis rezistas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polymeric resist vok. Polymerresist, n rus. полимерный резист, m pranc. résist polymère, m … Radioelektronikos terminų žodynas
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EUV-Lithografie — (auch kurz EUVL) ist ein Fotolithografie Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung (englisch extreme ultra violet, EUV). Dies soll es… … Deutsch Wikipedia
Fotolack — Fotolacke (englisch photoresist) werden bei der fotolithografischen Strukturierung verwendet, insbesondere in der Mikroelektronik und der Mikrosystemtechnik für die Produktion von Strukturen im Mikro und Submikrometerbereich sowie bei der… … Deutsch Wikipedia
Fotoresist — Fotolacke (engl. Photoresist) werden insbesondere in der Mikroelektronik und der Mikrosystemtechnik für die Produktion von Strukturen im Mikro und Submikrometerbereich und bei der Leiterplattenherstellung verwendet. Die wichtigsten Ausgangsstoffe … Deutsch Wikipedia
Negativresist — Fotolacke (engl. Photoresist) werden insbesondere in der Mikroelektronik und der Mikrosystemtechnik für die Produktion von Strukturen im Mikro und Submikrometerbereich und bei der Leiterplattenherstellung verwendet. Die wichtigsten Ausgangsstoffe … Deutsch Wikipedia
Photolack — Fotolacke (engl. Photoresist) werden insbesondere in der Mikroelektronik und der Mikrosystemtechnik für die Produktion von Strukturen im Mikro und Submikrometerbereich und bei der Leiterplattenherstellung verwendet. Die wichtigsten Ausgangsstoffe … Deutsch Wikipedia
